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NSTL支持国家重点研发计划，打造智库型情报产品服务品牌。
内容简介
按照NSTL总体战略部署，结合NSTL各家成员单位的特色和优势为国家十三五规划中面向事关国计民生需要长期演进的重大社会公益性研究，以及事关产业核心竞争力、整体自主创新能力和国家安全的重大科学问题、重大共性关键技术和产品、重大国际科技合作”的国家重点研发计划开展科技信息支撑和保障服务。NSTL根据国家十三五规划国家科技部分批公布的重点计划，要求各成员单位服务团队对国家重点研发计划承担机构和团队进行充分调研，并结合机构自身情报分析与服务的特色优势，遴选（技术/产业）领域主题进行需求调研和深度分析，形成符合国家战略需求的智库型情报产品；持续跟踪领域最新进展和前沿动态，针对用户不断加强的共享需求，探索新的服务模式，不断提供新的服务内容，打造NSTL服务国家重大科技战略的服务品牌。中国科学院文献情报中心第三代半导体材料专项情报服务团队遴选了第三代半导体关键材料领域为中国科学院微电子所、中国科学院半导体所等科院机构及相关科研人员提供系列简报和深度研究报告服务，得到了用户的认可和好评。
章节目录
封面
版权信息
内容简介
编委会
前言
第1章 绪论
1.1 研究背景
1.2 研究内容和方法
1.2.1 研究内容
1.2.2 研究方法
1.3 数据来源
1.4 术语解释
1.5 其他说明
第2章 第三代半导体材料相关科技政策
2.1 美国第三代半导体材料相关科技政策
2.1.1 宽禁带半导体技术计划
2.1.2 下一代电力电子技术国家制造业创新中心和电力美国制造业创新中心
2.1.3 电子复兴计划
2.1.4 CIRCUITS计划
2.2 欧洲第三代半导体材料相关科技政策
2.2.1 LAST POWER产学研项目
2.2.2 微电子联合研究和创新项目
2.3 日本第三代半导体材料相关科技政策
2.3.1 下一代功率半导体封装技术开发联盟
2.3.2 NEDO启动功率电子领域新研究
2.3.3 有助于实现节能社会的新一代半导体研究开发项目
2.4 韩国第三代半导体材料相关科技政策
2.5 中国第三代半导体材料相关科技政策
2.5.1 “核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”重大专项
2.5.2 “极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项
2.5.3 “战略性先进电子材料”重点专项
第3章 碳化硅半导体材料
3.1 碳化硅半导体材料研究背景
3.2 碳化硅半导体材料专利分析
3.2.1 专利申请时间分析
3.2.2 专利技术构成分析
3.2.3 专利申请国家/地区分析
3.2.4 专利申请人分析
3.2.5 在华专利分析
3.3 碳化硅半导体材料专利主题分析
3.3.1 碳化硅半导体材料专利研究主题分析
3.3.2 碳化硅半导体材料专利主要研究主题分析
3.4 碳化硅半导体材料专利被引科学文献分析
3.4.1 被引科学文献的文献类型分析
3.4.2 被引科学文献的时间趋势分析
3.4.3 被引科学文献的来源机构分析
3.4.4 被引科学文献的来源出版物分析
3.4.5 被引科学文献的高被引科学论文分析
3.4.6 被引科学文献的来源研究领域分析
3.4.7 被引科学文献的研究主题分析
3.5 碳化硅半导体材料小结
第4章 氮化镓半导体材料
4.1 氮化镓半导体材料研究背景
4.2 氮化镓半导体材料专利分析
4.2.1 专利申请时间分析
4.2.2 专利技术构成分析
4.2.3 专利申请国家/地区分析
4.2.4 专利申请人分析
4.2.5 在华专利分析
4.3 氮化镓半导体材料专利主题分析
4.3.1 氮化镓半导体材料专利技术演进分析
4.3.2 氮化镓半导体材料专利研究主题分析
4.3.3 氮化镓半导体材料专利主要研究主题分析
4.4 氮化镓半导体材料专利被引科学文献分析
4.4.1 被引科学文献的文献类型分析
4.4.2 被引科学文献的时间趋势分析
4.4.3 被引科学文献的来源机构分析
4.4.4 被引科学文献的来源出版物分析
4.4.5 被引科学文献的高被引科学论文分析
4.4.6 被引科学文献的来源研究领域分析
4.4.7 被引科学文献的研究主题分析
4.5 氮化镓半导体材料小结
第5章 氮化铝半导体材料
5.1 氮化铝半导体材料研究背景
5.2 氮化铝半导体材料专利分析
5.2.1 专利申请时间分析
5.2.2 专利技术构成分析
5.2.3 专利申请国家/地区分析
5.2.4 专利申请人分析
5.2.5 在华专利分析
5.3 氮化铝半导体材料小结
第6章 氧化锌半导体材料
6.1 氧化锌半导体材料研究背景
6.2 氧化锌半导体材料专利分析
6.2.1 专利申请时间分析
6.2.2 专利技术构成分析
6.2.3 专利申请国家/地区分析
6.2.4 专利申请人分析
6.2.5 在华专利分析
6.3 氧化锌半导体材料小结
第7章 金刚石半导体材料
7.1 金刚石半导体材料研究背景
7.2 金刚石半导体材料专利分析
7.2.1 专利申请时间分析
7.2.2 专利技术构成分析
7.2.3 专利申请国家/地区分析
7.2.4 专利申请人分析
7.2.5 在华专利分析
7.3 金刚石半导体材料小结
第8章 结论及建议
8.1 发展态势总结
8.1.1 专利申请时间趋势和技术成熟度
8.1.2 专利技术构成和重点研究领域
8.1.3 专利申请国家/地区
8.1.4 专利主要申请人
8.1.5 在华专利
8.1.6 被引科学文献
8.2 存在问题
8.2.1 研究机构数量多但规模不大
8.2.2 研究机构缺乏合作
8.2.3 原始创新现状惨淡
8.3 对策建议
8.3.1 集中优势资源扶持龙头企业和研究机构
8.3.2 借力市场，促进产业技术升级
8.3.3 注重全产业链和产业环境的建设
8.3.4 明确产业规划，强化顶层设计
参考文献
封底
第三代半导体材料发展态势分析是2020年由电子工业出版社出版,作者第三代半导体材料发展态势分析项目组。
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