内容简介
光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术。特别是在集成电路制造中，正是由于光刻技术的不断提高才使得摩尔定律（器件集成度每两年左右翻一番）得以继续。《超大规模集成电路先进光刻理论与应用》覆盖现代光刻技术的主要方面，包括设备、材料、仿真（计算光刻）和工艺，内容直接取材于国际先进集成电路制造技术，为了保证先进性，特别侧重于32nm节点以下的技术。书中引用了很多工艺实例，这些实例都是经过生产实际验证的，希望能对读者有所启发。《超大规模集成电路先进光刻理论与应用》可供高等院校的高年级本科生和研究生、集成电路设计和制造人员、微纳器件研发和制造工程师参考。
章节目录
前言
第1章 光刻技术概述
1．1 半导体技术节点
1．2 集成电路的结构和光刻层
1．3 光刻工艺
1．4 曝光系统的分辨率和聚焦深度
1．4．1 分辨率
1．4．2 聚焦深度
1．4．3 调制传递函数
1．5 对设计的修正和版图数据流程
1．6 光刻工艺的评价标准
1．7 去胶返工
1．8 光刻工艺中缺陷的检测
1．8．1 旋涂后光刻薄膜中缺陷的检测
1．8．2 曝光后图形的缺陷检测
1．9 光刻工艺的成本
1．10 现代光刻工艺研发各部分的职责和协作
1．10．1 晶圆厂光刻内部的分工以及各单位之间的交叉和牵制
1．10．2 先导光刻工艺研发的模式
1．10．3 光刻与刻蚀的关系
参考文献
第2章 匀胶显影机及其应用
2．1 匀胶显影机的结构
2．2 匀胶显影流程的控制程序
2．3 匀胶显影机内的主要工艺单元
2．3．1 晶圆表面增粘处理
2．3．2 光刻胶旋涂单元
2．3．3 烘烤和冷却
2．3．4 边缘曝光
2．3．5 显影单元
2．4 清洗工艺单元
2．4．1 去离子水冲洗
2．4．2 晶圆背面清洗
2．5 匀胶显影机中的子系统
2．5．1 化学液体输送系统
2．5．2 匀胶显影机中的微环境和气流控制
2．5．3 废液收集系统
2．5．4 数据库系统
2．6 匀胶显影机性能的监测
2．6．1 胶厚的监测
2．6．2 旋涂后胶膜上颗粒的监测
2．6．3 显影后图形缺陷的监测
2．6．4 热盘温度的监测
2．7 集成于匀胶显影机中的在线测量单元
2．7．1 胶厚测量单元
2．7．2 胶膜缺陷的检测
2．7．3 使用高速相机原位监测工艺单元内的动态
2．8 匀胶显影机中的闭环工艺修正
2．9 匀胶显影设备安装后的接收测试
2．9．1 颗粒测试
2．9．2 增粘单元的验收
2．9．3 旋涂均匀性和稳定性的验收
2．9．4 显影的均匀性和稳定性测试
2．9．5 系统可靠性测试
2．9．6 产能测试
2．9．7 对机械手的要求
2．10 匀胶显影机的使用维护
参考文献
第3章 光刻机及其应用
3．1 投影式光刻机的工作原理
3．1．1 步进扫描式曝光
3．1．2 光刻机曝光的流程
3．1．3 曝光工作文件的设定
3．1．4 双工件台介绍
3．2 光刻机的光源及光路设计
……
第4章 光刻材料
第5章 掩模板及其管理
第6章 对准和套刻误差控制
第7章 光学邻近效应修正与计算光刻
第8章 光刻工艺的设定与监控
第9章 晶圆返工与光刻胶的清除
第10章 双重和多重光刻技术
第11章 极紫外（EUV）光刻技术
中英文光刻术语对照
彩图
超大规模集成电路先进光刻理论与应用是2016年由科学出版社出版,作者韦亚一。
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