模拟CMOS集成电路设计(第2版)/国外名校最新教材精选

模拟CMOS集成电路设计(第2版)/国外名校最新教材精选

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内容简介

  本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材,介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计,着重讲解该技术的新进展和设计实例,从MOSFET器件的基本物理特性开始,逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。

  本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。

  本书自出版以来得到了国内外读者的好评和青睐,被许多国际知名大学选为教科书。同时,由于原著者在世界知名公司的丰富研究经历,使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。

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模拟CMOS集成电路设计(第2版)/国外名校最新教材精选是2018年由西安交通大学出版社出版,作者[美]毕查德·拉扎维。

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