本书对中国海外并购的现实状况和中国资本市场当前的制度背景进行分析的基础上指出中国企业海外并购财务风险的核心管控要点。采用中国上市公司的海外并购样本进行了案例分析和实证研究，并在研究结论的基础上提出了政府层面和企业层面相关管控建议。
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内容简介
“中国战略性新兴产业——新材料”丛书是中国材料研究学会组织编写的，被新闻出版广电总局批准为“十二五”国家重点出版物出版规划项目，并获2016年度国家出版基金资助。丛书共16分册，涵盖了新型功能材料、高性能结构材料、高性能纤维复合材料等16种重点发展材料。本分册为《第三代半导体材料》。 本书主要论述了Ⅲ族氮化物半导体材料、SiC半导体材料、宽禁带氧化物半导体材料、金刚石材料的基本理论、制备技术、相关电子器件及其发展现状和趋势，半导体照明的现状、发展趋势、竞争格局，并论述了我国第三代半导体材料产业的战略意义及发展战略。 本书可供新材料科研院所、高等院校、新材料产业界、政府相关部门、新材料中介咨询机构等领域的人员参考，也可作为高等院校相关专业的大学生、研究生的教材或参考书。
章节目录
- 书名页
- 版权页
- 内容简介
- “中国战略性新兴产业——新材料”丛书编委会
- 序
- 前言
- 第1章 概论
- 1.1 第三代半导体材料的概念和发展历程
- 1.1.1 第三代半导体材料的概念
- 1.1.2 第三代半导体材料的发展历程
- 1.2 第三代半导体材料的结构性质及应用
- 1.2.1 Ⅲ族氮化物半导体材料的结构性质及应用
- 1.2.2 SiC半导体材料的结构性质及应用
- 1.2.3 宽禁带氧化物半导体材料的结构性质及应用
- 1.2.4 半导体金刚石材料的结构性质及应用
- 1.3 第三代半导体材料的应用前景展望
- 1.3.1 Ⅲ族氮化物半导体材料的应用前景
- 1.3.2 SiC半导体材料的应用前景
- 1.3.3 宽禁带氧化物半导体材料的应用前景
- 1.3.4 半导体金刚石材料的应用前景
- 参考文献
- 第2章 Ⅲ族氮化物半导体材料
- 2.1 Ⅲ族氮化物半导体材料的基本性质
- 2.1.1 Ⅲ族氮化物半导体材料的晶体结构
- 2.1.2 Ⅲ族氮化物半导体材料的能带结构
- 2.1.3 Ⅲ族氮化物半导体材料的基本物理性质
- 2.1.4 Ⅲ族氮化物半导体材料的极化特性
- 2.2 Ⅲ族氮化物半导体材料的制备技术
- 2.2.1 蓝宝石异质衬底技术
- 2.2.2 Ⅲ族氮化物同质衬底制备技术
- 2.2.3 氮化镓（GaN）和氮化铝（AlN）衬底材料
- 2.2.4 金属有机化学气相沉积（MOCVD）外延生长方法
- 2.2.5 分子束外延（MBE）生长方法
- 2.2.6 氮化铟（InN）和铟镓氮（InGaN）外延生长
- 2.2.7 氮化铝（AlN）和铝镓氮（AlGaN）外延生长
- 2.2.8 硅（Si）衬底上GaN的外延生长
- 2.3 Ⅲ族氮化物光电子器件及应用
- 2.3.1 蓝光、白光发光二极管（LED）及其半导体照明应用
- 2.3.2 蓝绿光激光器（LD）及其应用
- 2.3.3 紫外光LED及其应用
- 2.3.4 紫外光激光器及其应用
- 2.3.5 紫外光电探测器及其应用
- 2.4 Ⅲ族氮化物电子器件及应用
- 2.4.1 GaN基异质结构中二维电子气的电学性质
- 2.4.2 微波功率电子器件及其应用
- 2.4.3 电力电子器件及其应用
- 2.5 国内外Ⅲ族氮化物材料产业发展现状及趋势
- 2.5.1 GaN基LED照明材料产业
- 2.5.2 GaN基微波半导体材料与器件产业
- 2.5.3 GaN基电力电子器件及材料产业
- 参考文献
- 第3章 SiC半导体材料
- 3.1 SiC半导体材料的基本性质
- 3.1.1 SiC的晶体结构
- 3.1.2 SiC半导体材料的基本性质
- 3.1.3 SiC单晶材料的研究进展
- 3.2 SiC半导体材料的制备技术
- 3.2.1 SiC单晶生长技术
- 3.2.2 SiC单晶衬底加工技术
- 3.2.3 SiC化学气相沉积法（CVD）外延生长技术
- 3.3 SiC半导体器件及相关应用
- 3.3.1 功率半导体器件及其应用
- 3.3.2 SiC紫外光电探测器及其应用
- 3.3.3 SiC高温传感器及其应用
- 3.4 国内外SiC半导体材料产业发展现状及趋势
- 3.4.1 SiC半导体材料产业的市场
- 3.4.2 SiC衬底的产业现状和发展趋势
- 3.4.3 SiC分立器件的产业现状和发展趋势
- 3.4.4 SiC功率模块的产业现状和发展趋势
- 参考文献
- 第4章 宽禁带氧化物半导体材料
- 4.1 引言
- 4.1.1 氧化物半导体材料的基本概况
- 4.1.2 氧化物半导体材料的基本问题
- 4.1.3 氧化物半导体材料的整体发展状况
- 4.2 氧化锌（ZnO）半导体材料及器件
- 4.2.1 ZnO的晶体结构与基本性质
- 4.2.2 ZnO材料制备
- 4.2.3 ZnO半导体器件应用及研究进展
- 4.3 铟镓锌氧（IGZO）透明氧化物材料及器件
- 4.3.1 IGZO薄膜材料的结构与性质
- 4.3.2 IGZO薄膜的制备技术
- 4.3.3 IGZO薄膜晶体管（TFT）器件制备及其性质
- 4.3.4 IGZOTFT器件的电学稳定性
- 4.3.5 IGZOTFT器件的显示技术应用
- 4.4 氧化镓（β-Ga2O3）材料及器件
- 4.4.1 β-Ga2O3晶体的结构和基本性质
- 4.4.2 β-Ga2O3晶体的主要生长方法
- 4.4.3 β-Ga2O3晶体在透明导电氧化物薄膜方面的应用
- 4.4.4 β-Ga2O3晶体在日盲紫外探测器及气体传感器方面的应用
- 4.4.5 β-Ga2O3晶体在功率电子器件方面的应用
- 4.5 钙钛矿材料及器件
- 4.5.1 钙钛矿材料晶体结构
- 4.5.2 钙钛矿材料及其发光特性
- 4.5.3 钙钛矿型太阳能电池及其发展动态
- 4.5.4 钙钛矿材料电学特性和器件应用
- 4.6 宽禁带氧化物半导体材料的应用展望
- 4.6.1 宽禁带氧化物半导体的近期应用
- 4.6.2 宽禁带氧化物半导体的预期应用
- 4.6.3 宽禁带氧化物半导体的潜在应用
- 参考文献
- 第5章 半导体金刚石材料
- 5.1 半导体金刚石材料的基本性质
- 5.1.1 金刚石晶体概述
- 5.1.2 金刚石的基本性质
- 5.2 半导体金刚石材料的制备技术
- 5.2.1 高压高温法（HPHT）
- 5.2.2 CVD法
- 5.2.3 微波等离子体法
- 5.2.4 单晶金刚石衬底的制备
- 5.2.5 单晶金刚石薄膜同质外延
- 5.2.6 单晶金刚石薄膜异质外延
- 5.2.7 多晶金刚石薄膜的生长
- 5.2.8 金刚石的掺杂与接触
- 5.3 半导体金刚石器件及相关应用
- 5.3.1 金刚石基电子器件
- 5.3.2 金刚石基发光器件
- 5.3.3 金刚石基探测器和传感器
- 5.4 半导体金刚石材料的产业现状与发展趋势
- 5.4.1 半导体金刚石材料的产业现状
- 5.4.2 半导体金刚石材料的产业发展趋势
- 参考文献
- 第6章 第三代半导体材料光电应用——半导体照明
- 6.1 半导体照明概述
- 6.1.1 产业链环节及产品
- 6.1.2 产业链关键技术
- 6.2 半导体照明产业发展现状与趋势
- 6.2.1 国际发展态势
- 6.2.2 中国发展态势
- 6.2.3 半导体照明未来发展趋势
- 6.2.4 新型行业组织发展模式探索
- 6.3 中国半导体照明产业竞争格局及面临形势
- 6.3.1 半导体照明产业发展竞争格局重塑
- 6.3.2 中国半导体照明产业发展面临的形势
- 6.4 中国半导体照明产业发展对策建议
- 6.4.1 围绕应用需求进行系统布局，加大对技术创新的研发投入
- 6.4.2 探索协同、开放的体制机制，构建以企业为主体的创新体系
- 6.4.3 支持发展“众创空间”，为创业创新搭建新平台
- 6.4.4 积极参与“一带一路”，加强国际产业合作
- 6.4.5 加强市场监管，优化产业生态环境
- 参考文献
- 第7章 我国第三代半导体材料产业的战略意义及发展战略
- 7.1 我国第三代半导体材料产业的战略意义
- 7.1.1 抢占技术制高点，掌握国际竞争主导权
- 7.1.2 支撑节能减排，转变经济发展方式
- 7.1.3 引领信息器件产业变革，构建高性能信息网络
- 7.1.4 保卫国家信息安全，提升国防建设水平
- 7.2 我国第三代半导体材料产业的发展战略
- 7.2.1 组织关键技术的攻关
- 7.2.2 推动需求导向的创新应用
- 7.2.3 促进公共研发及服务平台建设
- 7.2.4 产业生态环境与可持续发展能力建设
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第三代半导体材料是2017年由中国铁道出版社出版,作者郑有炓,吴玲,沈波。
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