本书由江苏省邮电规划设计院多名专家和技术骨干联合编写，内容翔实，既注重OTN技术原理和发展趋势的介绍，又面向工程实际应用，对于从事光通信行业的从业者具有较高的参考价值。
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适读人群 ：集成电路设计工程师，半导体行业从业者，微电子和集成电路专业师生
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内容简介
《集成电路制造工艺与工程应用》以实际应用为出发点，对集成电路制造的主流工艺技术进行了逐一介绍，例如应变硅技术、HKMG技术、SOI技术和FinFET技术，然后从工艺整合的角度，通过图文对照的形式对典型工艺进行介绍，例如隔离技术的发展、硬掩膜版工艺技术、LDD工艺技术、Salicide工艺技术、ESD IMP工艺技术、AL和Cu金属互连。然后把这些工艺技术应用于实际工艺流程中，通过实例让读者能快速的掌握具体工艺技术的实际应用。
《集成电路制造工艺与工程应用》旨在向从事半导体行业的朋友介绍半导体工艺技术，给业内人士提供简单易懂并且与实际应用相结合的参考书。本书也可供微电子学与集成电路专业的学生和教师阅读参考。
章节目录
- 封面
- 书名页
- 版权页
- 专家推荐
- 写作缘由与编写过程
- 致谢
- 目录
- 第1章 引言
- 1.1 崛起的CMOS工艺制程技术
- 1.1.1 双极型工艺制程技术简介［1-2］
- 1.1.2 PMOS工艺制程技术简介
- 1.1.3 NMOS工艺制程技术简介
- 1.1.4 CMOS工艺制程技术简介
- 1.2 特殊工艺制程技术
- 1.2.1 BiCMOS工艺制程技术简介［5,6］
- 1.2.2 BCD工艺制程技术简介
- 1.2.3 HV-CMOS工艺制程技术简介
- 1.3 MOS集成电路的发展历史
- 1.4 MOS器件的发展和面临的挑战
- 参考文献
- 第2章 先进工艺制程技术
- 2.1 应变硅工艺技术
- 2.1.1 应变硅技术的概况
- 2.1.2 应变硅技术的物理机理
- 2.1.3 源漏嵌入SiC应变技术
- 2.1.4 源漏嵌入SiGe应变技术
- 2.1.5 应力记忆技术
- 2.1.6 接触刻蚀阻挡层应变技术
- 2.2 HKMG工艺技术
- 2.2.1 栅介质层的发展和面临的挑战
- 2.2.2 衬底量子效应
- 2.2.3 多晶硅栅耗尽效应
- 2.2.4 等效栅氧化层厚度
- 2.2.5 栅直接隧穿漏电流
- 2.2.6 高介电常数介质层
- 2.2.7 HKMG工艺技术
- 2.2.8 金属嵌入多晶硅栅工艺技术
- 2.2.9 金属替代栅极工艺技术
- 2.3 SOI工艺技术
- 2.3.1 SOS技术
- 2.3.2 SOI技术
- 2.3.3 PD-SOI
- 2.3.4 FD-SOI
- 2.4 FinFET和UTB-SOI工艺技术
- 2.4.1 FinFET的发展概况
- 2.4.2 FinFET和UTB-SOI的原理
- 2.4.3 FinFET工艺技术
- 参考文献
- 第3章 工艺集成
- 3.1 隔离技术
- 3.1.1 pn结隔离技术
- 3.1.2 LOCOS（硅局部氧化）隔离技术
- 3.1.3 STI（浅沟槽）隔离技术
- 3.1.4 LOD效应
- 3.2 硬掩膜版（Hard Mask）工艺技术
- 3.2.1 硬掩膜版工艺技术简介
- 3.2.2 硬掩膜版工艺技术的工程应用
- 3.3 漏致势垒降低效应和沟道离子注入
- 3.3.1 漏致势垒降低效应
- 3.3.2 晕环离子注入
- 3.3.3 浅源漏结深
- 3.3.4 倒掺杂阱
- 3.3.5 阱邻近效应
- 3.3.6 反短沟道效应
- 3.4 热载流子注入效应与轻掺杂漏（LDD）工艺技术
- 3.4.1 热载流子注入效应简介
- 3.4.2 双扩散漏（DDD）和轻掺杂漏（LDD）工艺技术
- 3.4.3 侧墙（Spacer Sidewall）工艺技术
- 3.4.4 轻掺杂漏离子注入和侧墙工艺技术的工程应用
- 3.5 金属硅化物技术
- 3.5.1 Polycide工艺技术
- 3.5.2 Salicide工艺技术
- 3.5.3 SAB工艺技术
- 3.5.4 SAB和Salicide工艺技术的工程应用
- 3.6 静电放电离子注入技术
- 3.6.1 静电放电离子注入技术
- 3.6.2 静电放电离子注入技术的工程应用
- 3.7 金属互连技术
- 3.7.1 接触孔和通孔金属填充
- 3.7.2 铝金属互连
- 3.7.3 铜金属互连
- 3.7.4 阻挡层金属
- 参考文献
- 第4章 工艺制程整合
- 4.1 亚微米CMOS前段工艺制程技术流程［1］
- 4.1.1 衬底制备
- 4.1.2 双阱工艺
- 4.1.3 有源区工艺
- 4.1.4 LOCOS隔离工艺
- 4.1.5 阈值电压离子注入工艺
- 4.1.6 栅氧化层工艺
- 4.1.7 多晶硅栅工艺
- 4.1.8 轻掺杂漏（LDD）离子注入工艺
- 4.1.9 侧墙工艺
- 4.1.10 源漏离子注入工艺
- 4.2 亚微米CMOS后段工艺制程技术流程［1］
- 4.2.1 ILD工艺
- 4.2.2 接触孔工艺
- 4.2.3 金属层1工艺
- 4.2.4 IMD1工艺
- 4.2.5 通孔1工艺
- 4.2.6 金属电容（MIM）工艺
- 4.2.7 金属2工艺
- 4.2.8 IMD2工艺
- 4.2.9 通孔2工艺
- 4.2.10 顶层金属工艺
- 4.2.11 钝化层工艺
- 4.3 深亚微米CMOS前段工艺技术流程［1］
- 4.3.1 衬底制备
- 4.3.2 有源区工艺
- 4.3.3 STI隔离工艺
- 4.3.4 双阱工艺
- 4.3.5 栅氧化层工艺
- 4.3.6 多晶硅栅工艺
- 4.3.7 轻掺杂漏（LDD）离子注入工艺
- 4.3.8 侧墙工艺
- 4.3.9 源漏离子注入工艺
- 4.3.10 HRP工艺
- 4.3.11 Salicide工艺
- 4.4 深亚微米CMOS后段工艺技术
- 4.5 纳米CMOS前段工艺技术流程
- 4.6 纳米CMOS后段工艺技术流程［1］
- 4.6.1 ILD工艺
- 4.6.2 接触孔工艺
- 4.6.3 IMD1工艺
- 4.6.4 金属层1工艺
- 4.6.5 IMD2工艺
- 4.6.6 通孔1和金属层2工艺
- 4.6.7 IMD3工艺
- 4.6.8 通孔2和金属层3工艺
- 4.6.9 IMD4工艺
- 4.6.10 顶层金属Al工艺
- 4.6.11 钝化层工艺
- 参考文献
- 第5章 晶圆接受测试（WAT）
- 5.1 WAT概述
- 5.1.1 WAT简介
- 5.1.2 WAT测试类型
- 5.2 MOS参数的测试条件
- 5.2.1 阈值电压Vt的测试条件
- 5.2.2 饱和电流Idsat的测试条件
- 5.2.3 漏电流Ioff的测试条件
- 5.2.4 源漏击穿电压BVD的测试条件
- 5.2.5 衬底电流Isub的测试条件
- 5.3 栅氧化层参数的测试条件
- 5.3.1 电容Cgox的测试条件
- 5.3.2 电性厚度Tgox的测试条件
- 5.3.3 击穿电压BVgox的测试条件
- 5.4 寄生MOS参数的测试条件
- 5.5 pn结参数的测试条件
- 5.5.1 电容Cjun的测试条件
- 5.5.2 击穿电压BVjun的测试条件
- 5.6 方块电阻的测试条件
- 5.6.1 NW方块电阻的测试条件
- 5.6.2 PW方块电阻的测试条件
- 5.6.3 Poly方块电阻的测试条件
- 5.6.4 AA方块电阻的测试条件
- 5.6.5 金属方块电阻的测试条件
- 5.7 接触电阻的测试条件
- 5.7.1 AA接触电阻的测试条件
- 5.7.2 Poly接触电阻的测试条件
- 5.7.3 金属通孔接触电阻的测试条件
- 5.8 隔离的测试条件
- 5.8.1 AA隔离的测试条件
- 5.8.2 Poly隔离的测试条件
- 5.8.3 金属隔离的测试条件
- 5.9 电容的测试条件
- 5.9.1 电容的测试条件
- 5.9.2 电容击穿电压的测试条件
- 后记
- 缩略语
展开全部
集成电路制造工艺与工程应用是2018年由机械工业出版社出版,作者温德通。
版权说明：本电子书已获得正版授权，由出版社通过知传链发行。
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