适读人群 ：本书适合从事通信线路工程设计、施工、监理和维护的相关工程技术人员阅读参考。
1.本书内容全面，实用性强，不仅介绍了通信线路工程设计和施工基本情况，还结合实际工程建设经验阐述了防护措施、维护、工程安全评估等内容，并有针对性地提供了相关的强制性标准规范内容。
2.专业：通信线路工程师手边书，作者30多年通信线路工程设计、施工和项目管理相关工作的经验总结。
3.经典：第1版热销9年，累计重印24次。
4.及时：更新相关规范和标准，增加综合布线系统设计和通信管道人（手）孔标准图。
电子书
编辑推荐
适读人群 ：集成电路设计工程师，半导体行业从业者，微电子和集成电路专业师生
本书提供PPT学习资料，大家关注“科技电眼”微信公众号，回复书后条码下方ISBN号即可获取。
温老师又出新书啦，《CMOS集成电路闩锁效应》已经正式面世，点击书名跳转！
内容简介
《集成电路制造工艺与工程应用》以实际应用为出发点，对集成电路制造的主流工艺技术进行了逐一介绍，例如应变硅技术、HKMG技术、SOI技术和FinFET技术，然后从工艺整合的角度，通过图文对照的形式对典型工艺进行介绍，例如隔离技术的发展、硬掩膜版工艺技术、LDD工艺技术、Salicide工艺技术、ESD IMP工艺技术、AL和Cu金属互连。然后把这些工艺技术应用于实际工艺流程中，通过实例让读者能快速的掌握具体工艺技术的实际应用。
《集成电路制造工艺与工程应用》旨在向从事半导体行业的朋友介绍半导体工艺技术，给业内人士提供简单易懂并且与实际应用相结合的参考书。本书也可供微电子学与集成电路专业的学生和教师阅读参考。
章节目录
- 封面
- 书名页
- 版权页
- 专家推荐
- 写作缘由与编写过程
- 致谢
- 目录
- 第1章 引言
- 1.1 崛起的CMOS工艺制程技术
- 1.1.1 双极型工艺制程技术简介［1-2］
- 1.1.2 PMOS工艺制程技术简介
- 1.1.3 NMOS工艺制程技术简介
- 1.1.4 CMOS工艺制程技术简介
- 1.2 特殊工艺制程技术
- 1.2.1 BiCMOS工艺制程技术简介［5,6］
- 1.2.2 BCD工艺制程技术简介
- 1.2.3 HV-CMOS工艺制程技术简介
- 1.3 MOS集成电路的发展历史
- 1.4 MOS器件的发展和面临的挑战
- 参考文献
- 第2章 先进工艺制程技术
- 2.1 应变硅工艺技术
- 2.1.1 应变硅技术的概况
- 2.1.2 应变硅技术的物理机理
- 2.1.3 源漏嵌入SiC应变技术
- 2.1.4 源漏嵌入SiGe应变技术
- 2.1.5 应力记忆技术
- 2.1.6 接触刻蚀阻挡层应变技术
- 2.2 HKMG工艺技术
- 2.2.1 栅介质层的发展和面临的挑战
- 2.2.2 衬底量子效应
- 2.2.3 多晶硅栅耗尽效应
- 2.2.4 等效栅氧化层厚度
- 2.2.5 栅直接隧穿漏电流
- 2.2.6 高介电常数介质层
- 2.2.7 HKMG工艺技术
- 2.2.8 金属嵌入多晶硅栅工艺技术
- 2.2.9 金属替代栅极工艺技术
- 2.3 SOI工艺技术
- 2.3.1 SOS技术
- 2.3.2 SOI技术
- 2.3.3 PD-SOI
- 2.3.4 FD-SOI
- 2.4 FinFET和UTB-SOI工艺技术
- 2.4.1 FinFET的发展概况
- 2.4.2 FinFET和UTB-SOI的原理
- 2.4.3 FinFET工艺技术
- 参考文献
- 第3章 工艺集成
- 3.1 隔离技术
- 3.1.1 pn结隔离技术
- 3.1.2 LOCOS（硅局部氧化）隔离技术
- 3.1.3 STI（浅沟槽）隔离技术
- 3.1.4 LOD效应
- 3.2 硬掩膜版（Hard Mask）工艺技术
- 3.2.1 硬掩膜版工艺技术简介
- 3.2.2 硬掩膜版工艺技术的工程应用
- 3.3 漏致势垒降低效应和沟道离子注入
- 3.3.1 漏致势垒降低效应
- 3.3.2 晕环离子注入
- 3.3.3 浅源漏结深
- 3.3.4 倒掺杂阱
- 3.3.5 阱邻近效应
- 3.3.6 反短沟道效应
- 3.4 热载流子注入效应与轻掺杂漏（LDD）工艺技术
- 3.4.1 热载流子注入效应简介
- 3.4.2 双扩散漏（DDD）和轻掺杂漏（LDD）工艺技术
- 3.4.3 侧墙（Spacer Sidewall）工艺技术
- 3.4.4 轻掺杂漏离子注入和侧墙工艺技术的工程应用
- 3.5 金属硅化物技术
- 3.5.1 Polycide工艺技术
- 3.5.2 Salicide工艺技术
- 3.5.3 SAB工艺技术
- 3.5.4 SAB和Salicide工艺技术的工程应用
- 3.6 静电放电离子注入技术
- 3.6.1 静电放电离子注入技术
- 3.6.2 静电放电离子注入技术的工程应用
- 3.7 金属互连技术
- 3.7.1 接触孔和通孔金属填充
- 3.7.2 铝金属互连
- 3.7.3 铜金属互连
- 3.7.4 阻挡层金属
- 参考文献
- 第4章 工艺制程整合
- 4.1 亚微米CMOS前段工艺制程技术流程［1］
- 4.1.1 衬底制备
- 4.1.2 双阱工艺
- 4.1.3 有源区工艺
- 4.1.4 LOCOS隔离工艺
- 4.1.5 阈值电压离子注入工艺
- 4.1.6 栅氧化层工艺
- 4.1.7 多晶硅栅工艺
- 4.1.8 轻掺杂漏（LDD）离子注入工艺
- 4.1.9 侧墙工艺
- 4.1.10 源漏离子注入工艺
- 4.2 亚微米CMOS后段工艺制程技术流程［1］
- 4.2.1 ILD工艺
- 4.2.2 接触孔工艺
- 4.2.3 金属层1工艺
- 4.2.4 IMD1工艺
- 4.2.5 通孔1工艺
- 4.2.6 金属电容（MIM）工艺
- 4.2.7 金属2工艺
- 4.2.8 IMD2工艺
- 4.2.9 通孔2工艺
- 4.2.10 顶层金属工艺
- 4.2.11 钝化层工艺
- 4.3 深亚微米CMOS前段工艺技术流程［1］
- 4.3.1 衬底制备
- 4.3.2 有源区工艺
- 4.3.3 STI隔离工艺
- 4.3.4 双阱工艺
- 4.3.5 栅氧化层工艺
- 4.3.6 多晶硅栅工艺
- 4.3.7 轻掺杂漏（LDD）离子注入工艺
- 4.3.8 侧墙工艺
- 4.3.9 源漏离子注入工艺
- 4.3.10 HRP工艺
- 4.3.11 Salicide工艺
- 4.4 深亚微米CMOS后段工艺技术
- 4.5 纳米CMOS前段工艺技术流程
- 4.6 纳米CMOS后段工艺技术流程［1］
- 4.6.1 ILD工艺
- 4.6.2 接触孔工艺
- 4.6.3 IMD1工艺
- 4.6.4 金属层1工艺
- 4.6.5 IMD2工艺
- 4.6.6 通孔1和金属层2工艺
- 4.6.7 IMD3工艺
- 4.6.8 通孔2和金属层3工艺
- 4.6.9 IMD4工艺
- 4.6.10 顶层金属Al工艺
- 4.6.11 钝化层工艺
- 参考文献
- 第5章 晶圆接受测试（WAT）
- 5.1 WAT概述
- 5.1.1 WAT简介
- 5.1.2 WAT测试类型
- 5.2 MOS参数的测试条件
- 5.2.1 阈值电压Vt的测试条件
- 5.2.2 饱和电流Idsat的测试条件
- 5.2.3 漏电流Ioff的测试条件
- 5.2.4 源漏击穿电压BVD的测试条件
- 5.2.5 衬底电流Isub的测试条件
- 5.3 栅氧化层参数的测试条件
- 5.3.1 电容Cgox的测试条件
- 5.3.2 电性厚度Tgox的测试条件
- 5.3.3 击穿电压BVgox的测试条件
- 5.4 寄生MOS参数的测试条件
- 5.5 pn结参数的测试条件
- 5.5.1 电容Cjun的测试条件
- 5.5.2 击穿电压BVjun的测试条件
- 5.6 方块电阻的测试条件
- 5.6.1 NW方块电阻的测试条件
- 5.6.2 PW方块电阻的测试条件
- 5.6.3 Poly方块电阻的测试条件
- 5.6.4 AA方块电阻的测试条件
- 5.6.5 金属方块电阻的测试条件
- 5.7 接触电阻的测试条件
- 5.7.1 AA接触电阻的测试条件
- 5.7.2 Poly接触电阻的测试条件
- 5.7.3 金属通孔接触电阻的测试条件
- 5.8 隔离的测试条件
- 5.8.1 AA隔离的测试条件
- 5.8.2 Poly隔离的测试条件
- 5.8.3 金属隔离的测试条件
- 5.9 电容的测试条件
- 5.9.1 电容的测试条件
- 5.9.2 电容击穿电压的测试条件
- 后记
- 缩略语
展开全部
集成电路制造工艺与工程应用是2018年由机械工业出版社出版,作者温德通。
温馨提示：
1.本电子书已获得正版授权，由出版社通过知传链发行。
2.该电子书为虚拟物品，付费之后概不接收任何理由退款。电子书内容仅支持在线阅读，不支持下载。
3.您在本站购买的阅读使用权仅限于您本人阅读使用，您不得/不能给任何第三方使用，由此造成的一切相关后果本平台保留向您追偿索赔的权利！版权所有，后果自负！
得书感谢您对《集成电路制造工艺与工程应用》关注和支持，如本书内容有不良信息或侵权等情形的，请联系本网站。
电子书
电子书
国之重器出版工程.5G丛书
国之重器出版工程，网络强国建设，“十三五”国家重点出版物出版规划项目。
作者权wei
几位作者全部来自广东省电信规划设计院，本书是广东省电信规划设计院专家团队的全新力作。作者与中国移动集团、华为、高通、联发科、南方电网公司等业界相关专家多番沟通探讨，图书内容的质量有保障。
广东省电信规划设计院有限公司
广东省电信规划设计院有限公司系中国通信服务股份有限公司旗下的龙头咨询设计企业。公司历史悠久、资质优异、技术力量雄厚，知名度在国内业界位列三 甲。公司前身可追溯到1952年成立的广东省邮电管理局设计组，作为独立法人单位则成立于1984年，系原邮电部首 批7家甲 级勘察设计单位之一。
内容丰富，通读完全文，读者可全面了解：
5G通信技术是什么、如何发展的、技术上如何实现、行业中如何应用；
智能电网的现状、发展、概念、底层设计、技术特点、网络规划设计以及应用；
万物互联的智能社会，5G技术在智能电网中是如何应用的及其应用场景与价值是什么，5G承载电力业务的整体解决方案；
与同类书相比，内容更有层次，不但讲述“如何做”（特别是在实际中如何做），更加讲述了“为什么要这么做”，对任何关键的技术都是从理论到实际，辅以生动的（2G/3G/4G）实例；
全书完全是作者在10余年电力行业中的消化、总结的结晶，为进一步拓展5G技术泛在化应用的多样性和适应性提供了借鉴。
电子书
1.本书同时涉及了人工智能与通信两大热门领域，是市面上为数不多的涵盖大量人工智能技术应用在通信领域案例的图书。本书的出版对于通信行业与人工智能行业有指导性意义。
2.作者为行业知名专家，主持了中国联通许多重大技术工作，还担任过多个科研课题的负责人。
电子书
本书主要介绍了如下内容：二极管电路、三极管放大电路、场效应管放大电路、功率放大电路、集成运算放大电路、电源电路、正弦波振荡电路和高频电路。最后，结合仿真软件，对书中的重点内容进行了实验和验证。
电子书
智慧工业实践作为《智慧城市实践系列》丛书之一，被列选为“十三五”国家重点图书出版规划项目。
智慧工业实践将智慧工业的理论和实践通过流程、图表等形式呈现，力求通俗易懂，便于读者快速掌握重点。
电子书
电路分析13章全面讲解
电子书
适读人群 ：电子爱好者及相关从业人员
知名电子专家蔡杏山编著
低起点：初中基础即可学习本书
内容全面：模拟电路、数字电路、电力电子电路全面覆盖
避免复杂的理论分析和烦琐的公式推导，通俗易懂
知识与技能解说详细，自学效果明显提升
学习中遇到难点可登录作者网站咨询
电子书
通信圈子里的“古典名著”，畅销10年的经典好书，物联网基础知识普及读物。
大话物联网在保持故事性和趣味性的前提下，重点增强了图书的知识性和科学性，并更新了具有时效性的案例。本书写作幽默风趣、深入浅出；内容丰富、通俗易懂：从物联网的产生背景，到物联网的基本概念、关键特征、体系结构、发展现状，到物联网的标准化组织、标准化进展，再到感知层、网络层和应用层的支撑技术，面面俱到！
