CMOS芯片结构与制造技术

CMOS芯片结构与制造技术

查阅电子书
手机扫码
  • 微信扫一扫

    关注微信公众号

因版权原因待上架

编辑推荐

本书给出了100种典型CMOS芯片结构,介绍了各种典型制造技术,并描绘出50种制程剖面结构。

内容简介

本书从CMOS芯片结构技术出发,系统地介绍了微米、亚微米、深亚微米及纳米CMOS制造技术,内容包括单阱CMOS、双阱CMOS、LV/HV兼容CMOS、BiCMOS、LV/HV兼容BiCMOS,以及LV/HV兼容BCD制造技术。

全书各章都采用由CMOS芯片主要元器件、制造技术及主要参数所组成的综合表,从芯片结构出发,利用计算机和它所提供的软件,描绘出芯片制造的各工序剖面结构,从而得到制程剖面结构。

作者简介

编者潘桂忠,男,工作期间主要从事集成电路设计,工艺技术,芯片结构,电路研制以及生产等领域工作,退休后受聘于各单位(北电或新茂半导体公司,清华大学微电子所,复华公司以及上海五官科医院等)任高级技术顾问。曾在国内不同刊物上发表论文50余篇,曾编著《MOS集成电路结构与制造技术》《MOS集成电路工艺与制造技术》等书。

章节目录

版权信息

内容简介

作者简介

前言

第1章 LSI/VLSI制造基本技术

1.1 基础工艺技术

1.1.1 基础工艺技术

1.1.2 工艺制程

1.1.3 工艺一体化

1.2 器件隔离技术

1.2.1 LOCOS隔离

1.2.2 浅槽隔离

1.2.3 PN结隔离

1.3 衬底与阱技术

1.3.1 CMOS工艺与阱的形成

1.3.2 可靠性与阱技术

1.3.3 外延与SOI衬底

1.4 栅与源、漏结的形成技术

1.4.1 栅工艺

1.4.2 源、漏结构的形成

1.4.3 漏极技术

1.5 接触的形成与多层布线技术

1.5.1 接触的形成

1.5.2 金属化系统

1.5.3 多层布线工艺与平坦化技术

1.6 BiCMOS技术

1.7 LV/HV兼容技术

1.7.1 LV/HV兼容CMOS

1.7.2 LV/HV兼容BiCMOS

1.7.3 LV/HV兼容BCD

1.8 CMOS集成电路工艺设计

1.8.1 硅衬底参数设计

1.8.2 栅介质材料

1.8.3 栅电极材料

1.8.4 阈值电压设计

1.8.5 工艺参数设计

1.9 CMOS集成电路设计与制造技术关系

1.9.1 芯片结构及其参数

1.9.2 芯片结构技术

1.9.3 芯片制造

第2章 单阱CMOS芯片与制程剖面结构

2.1 P-Well CMOS(A)

2.1.1 芯片平面/剖面结构

2.1.2 工艺技术

2.1.3 工艺制程

2.2 P-Well CMOS(B)

2.2.1 芯片剖面结构

2.2.2 工艺技术

2.2.3 工艺制程

2.3 P-Well CMOS(C)

2.3.1 芯片剖面结构

2.3.2 工艺技术

2.3.3 工艺制程

2.4 HV P-Well CMOS

2.4.1 芯片剖面结构

2.4.2 工艺技术

2.4.3 工艺制程

2.5 N-Well CMOS(A)

2.5.1 芯片平面/剖面结构

2.5.2 工艺技术

2.5.3 工艺制程

2.6 N-Well CMOS(B)

2.6.1 芯片剖面结构

2.6.2 工艺技术

2.6.3 工艺制程

2.7 N-Well CMOS(C)

2.7.1 芯片剖面结构

2.7.2 工艺技术

2.7.3 工艺制程

2.8 HV N-Well CMOS

2.8.1 芯片剖面结构

2.8.2 工艺技术

2.8.3 工艺制程

第3章 双阱CMOS芯片与制程剖面结构

3.1 亚微米CMOS(A)

3.1.1 芯片平面/剖面结构

3.1.2 工艺技术

3.1.3 工艺制程

3.2 亚微米CMOS(B)

3.2.1 芯片剖面结构

3.2.2 工艺技术

3.2.3 工艺制程

3.3 亚微米CMOS(C)

3.3.1 芯片剖面结构

3.3.2 工艺技术

3.3.3 工艺制程

3.4 深亚微米CMOS(A)

3.4.1 芯片剖面结构

3.4.2 工艺技术

3.4.3 工艺制程

3.5 深亚微米CMOS(B)

3.5.1 芯片剖面结构

3.5.2 工艺技术

3.5.3 工艺制程

3.6 深亚微米CMOS(C)

3.6.1 芯片剖面结构

3.6.2 工艺技术

3.6.3 工艺制程

3.7 纳米CMOS(A)

3.7.1 芯片剖面结构

3.7.2 工艺技术

3.7.3 工艺制程

3.8 纳米CMOS(B)

3.8.1 芯片剖面结构

3.8.2 工艺技术

3.8.3 工艺制程

3.9 纳米CMOS(C)

3.9.1 芯片剖面结构

3.9.2 工艺技术

3.9.3 工艺制程

3.10 纳米CMOS(D)

3.10.1 芯片剖面结构

3.10.2 工艺技术

3.10.3 工艺制程

第4章 LV/HV兼容CMOS芯片与制程剖面结构

4.1 LV/HV P-Well CMOS(A)

4.1.1 芯片平面/剖面结构

4.1.2 工艺技术

4.1.3 工艺制程

4.2 LV/HV P-Well CMOS(B)

4.2.1 芯片剖面结构

4.2.2 工艺技术

4.2.3 工艺制程

4.3 LV/HV P-Well CMOS(C)

4.3.1 芯片剖面结构

4.3.2 工艺技术

4.3.3 工艺制程

4.4 LV/HV N-Well CMOS(A)

4.4.1 芯片剖面结构

4.4.2 工艺技术

4.4.3 工艺制程

4.5 LV/HV N-Well CMOS(B)

4.5.1 芯片剖面结构

4.5.2 工艺技术

4.5.3 工艺制程

4.6 LV/HV N-Well CMOS(C)

4.6.1 芯片剖面结构

4.6.2 工艺技术

4.6.3 工艺制程

4.7 LV/HV Twin-Well CMOS(A)

4.7.1 芯片剖面结构

4.7.2 工艺技术

4.7.3 工艺制程

4.8 LV/HV Twin-Well CMOS(B)

4.8.1 芯片剖面结构

4.8.2 工艺技术

4.8.3 工艺制程

第5章 BiCMOS芯片与制程剖面结构

5.1 P-Well BiCMOS[C]

5.1.1 芯片平面/剖面结构

5.1.2 工艺技术

5.1.3 工艺制程

5.2 P-Well BiCMOS[B]-(A)

5.2.1 芯片剖面结构

5.2.2 工艺技术

5.2.3 工艺制程

5.3 P-Well BiCMOS[B]-(B)

5.3.1 芯片剖面结构

5.3.2 工艺技术

5.3.3 工艺制程

5.4 N-Well BiCMOS[C]

5.4.1 芯片剖面结构

5.4.2 工艺技术

5.4.3 工艺制程

5.5 N-Well BiCMOS[B]-(A)

5.5.1 芯片剖面结构

5.5.2 工艺技术

5.5.3 工艺制程

5.6 N-Well BiCMOS[B]-(B)

5.6.1 芯片剖面结构

5.6.2 工艺技术

5.6.3 工艺制程

5.7 Twin-Well BiCMOS[B]-(A)

5.7.1 芯片剖面结构

5.7.2 工艺技术

5.7.3 工艺制程

5.8 Twin-Well BiCMOS[B]-(B)

5.8.1 芯片剖面结构

5.8.2 工艺技术

5.8.3 工艺制程

第6章 LV/HV兼容BiCMOS芯片与制程剖面结构

6.1 LV/HV P-Well BiCMOS[C]

6.1.1 芯片平面/剖面结构

6.1.2 工艺技术

6.1.3 工艺制程

6.2 LV/HV P-Well BiCMOS[B]-(A)

6.2.1 芯片剖面结构

6.2.2 工艺技术

6.2.3 工艺制程

6.3 LV/HV P-Well BiCMOS[B]-(B)

6.3.1 芯片剖面结构

6.3.2 工艺技术

6.3.3 工艺制程

6.4 LV/HV N-Well BiCMOS[C]

6.4.1 芯片剖面结构

6.4.2 工艺技术

6.4.3 工艺制程

6.5 LV/HV N-Well BiCMOS[B]-(A)

6.5.1 芯片剖面结构

6.5.2 工艺技术

6.5.3 工艺制程

6.6 LV/HV N-Well BiCMOS[B]-(B)

6.6.1 芯片剖面结构

6.6.2 工艺技术

6.6.3 工艺制程

6.7 LV/HV Twin-Well BiCMOS[C]

6.7.1 芯片剖面结构

6.7.2 工艺技术

6.7.3 工艺制程

6.8 LV/HV Twin-Well BiCMOS[B]

6.8.1 芯片剖面结构

6.8.2 工艺技术

6.8.3 工艺制程

第7章 LV/HV兼容BCD芯片与制程剖面结构

7.1 LV/HV P-Well BCD[C]

7.1.1 芯片平面/剖面结构

7.1.2 工艺技术

7.1.3 工艺制程

7.2 LV/HV P-Well BCD[B]-(A)

7.2.1 芯片剖面结构

7.2.2 工艺技术

7.2.3 工艺制程

7.3 LV/HV P-Well BCD[B]-(B)

7.3.1 芯片剖面结构

7.3.2 工艺技术

7.3.3 工艺制程

7.4 LV/HV N-Well BCD[C]

7.4.1 芯片剖面结构

7.4.2 工艺技术

7.4.3 工艺制程

7.5 LV/HV N-Well BCD[B]-(A)

7.5.1 芯片剖面结构

7.5.2 工艺技术

7.5.3 工艺制程

7.6 LV/HV N-Well BCD[B]-(B)

7.6.1 芯片剖面结构

7.6.2 工艺技术

7.6.3 工艺制程

7.7 LV/HV N-Well BCD[B]-(C)

7.7.1 芯片剖面结构

7.7.2 工艺技术

7.7.3 工艺制程

7.8 LV/HV Twin-Well BCD[C]

7.8.1 芯片剖面结构

7.8.2 工艺技术

7.8.3 工艺制程

7.9 LV/HV Twin-Well BCD[B]-(A)

7.9.1 芯片剖面结构

7.9.2 工艺技术

7.9.3 工艺制程

7.10 LV/HV Twin-Well BCD[B]-(B)

7.10.1 芯片剖面结构

7.10.2 工艺技术

7.10.3 工艺制程

附录A 术语缩写对照

附录B 简要说明

参考文献

CMOS芯片结构与制造技术是2021年由电子工业出版社出版,作者潘桂忠 编著。

得书感谢您对《CMOS芯片结构与制造技术》关注和支持,如本书内容有不良信息或侵权等情形的,请联系本网站。

购买这本书

你可能喜欢
先进制造技术 电子书
本书共分5章:第1章主要介绍了先进制造技术的产生背景和需求,先进制造技术的内涵和特点以及发展概况及趋势等;第2章主要介绍了先进制造技术的各种工艺技术,包括先进制造工艺技术概述、精密和超精密加工技术、微细加工技术、生物制造技术、高速加工技术、快速成型技术、激光加工技术和高能束加工技术等;第3章主要介绍了虚拟制造、并行工程、敏捷制造、精益生产、智能制造和绿色制造技术;第4章包括计算机辅助设计技术、计算
中国制造业结构变动与生产率增长 电子书
本书依据发展经济学、新古典经济增长理论以及演化经济学的相关理论,分析了结构变动影响部门生产率的经济机理。
芯片安全导论 电子书
本书系统地介绍了网络物理系统中常见芯片所面临的安全威胁,涵盖集成电路、生物芯片、人工智能芯片等常见芯片架构,并从安全角度出发介绍了已有的安全防范技术,包括知识产权保护、硬件木马预防及检测等。硬件是网络物理系统的基础,芯片是其核心部件,芯片安全对整个网络空间安全来说至关重要。本书内容全面、技术新颖,不仅包括作者原创科研成果,还囊括其他学者的前沿研究成果。本书在芯片基本知识的基础上,就现今较先进的研究
模具制造技术(第2版) 电子书
职业教育特点下的模具技术岗位学生培训指南。
CMOS集成电路闩锁效应 电子书
适读人群 :集成电路IC设计工程师,微电子与集成电路相关专业师生 大量彩图 具体案例; 提供PPT学习资料,微信搜索“科技电眼”公众号回复书后条码下方ISBN号获取。