内容简介
单片智能功率芯片是一种功能与结构高度集成化的高低压兼容芯片，其内部集成了高压功率器件、高低压转换电路及低压逻辑控制电路等，高压厚膜SOI基横向IGBT器件（高压厚膜SOI-LIGBT器件）在其中被用作开关器件，是该芯片中的核心器件，其性能直接决定了芯片的可靠性和功耗。本书共7章：介绍了厚膜SOI-LIGBT器件的工作原理，分析了器件的耐压、导通、关断原理；然后围绕高压厚膜SOI-LIGBT器件的关键技术，研究了高压互连线屏蔽技术、电流密度提升技术和快速关断技术三大类技术，分析了U型沟道电流密度提升技术、双沟槽互连线屏蔽技术、复合集电极快速关断技术等9种技术；围绕高压厚膜SOI-LIGBT器件的鲁棒性，研究了关断失效、短路失效、开启电流过充、低温特性漂移；探讨了厚膜SOI-LIGBT器件的工艺和版图。 本书内容基于过去8年单片智能功率芯片国产化过程中的创新设计和工程实践积累进行编写，兼具理论启发性和工程实用性，适合功率半导体器件与集成电路领域内的科研、生产、教学人员阅读和参考。
高压厚膜SOI-LIGBT器件关键技术是2023年由人民邮电出版社出版,作者孙伟锋。
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