半导体制造技术

半导体制造技术

查阅电子书
手机扫码
  • 微信扫一扫

    关注微信公众号

因版权原因待上架

内容简介

本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了各种新技术资料,学术界和工业界对本书的评价都很高。全书共分20章,根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节,包括与半导体制造相关的基础技术信息;总体流程图的工艺模型概况,用流程图将硅片制造的主要领域连接起来;具体讲解每一个主要工艺;集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外,各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题,这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。

作者简介

Michael Quirk致力于半导体工艺方面的培训课程。Julian Serda:任职于AMD公司。

章节目录

第1章 半导体产业介绍

目标

1.1 引言

1.2 产业的发展

1.3 电路集成

1.4 集成电路制造

1.5 半导体趋势

1.6 电子时代

1.7 在半导体制造业中的职业

1.8 小结

第2章 半导体材料特性

目标

2.1 引言

2.2 原子结构

2.3 周期表

2.4 材料分类

2.5 硅

2.6 可选择的半导体材料

2.7 小结

第3章 器件技术

目标

3.1 引言

3.2 电路类型

3.3 源元件结构

3.4 有源元件结构

3.5 CMOS器件的闩锁效应

3.6 集成电路产品

3.7 小结

第4章 硅和硅片制备

目标

4.1 引言

4.2 半导体级硅

4.3 晶体结构

4.4 晶向

4.5 单晶硅生长

4.6 硅中的晶体缺陷

4.7 硅片制备

4.8 质量测量

4.9 外延层

4.10 小结

第5章 半导体制造中的化学品

目标

5.1 引言

5.2 物质形态

5.3 材料的属性

5.4 工艺用化学品

5.5 小结

第6章 硅片制造中的沾污控制

目标

6.1 引言

6.2 沾污的类型

6.3 沾污的源与控制

6.4 硅片湿法清洗

6.5 小结

第7章 测量学和缺陷检查

目标

7.1 引言

7.2 集成电路测量学

7.3 质量测量

7.4 分析设备

7.5 小结

第8章 工艺腔内的气体控制

目标

8.1 引言

8.2 真空

8.3 真空泵

8.4 工艺腔内的气流

8.5 残气分析器

8.6 等离子体

8.7 工艺腔的沾污

8.8 小结

第9章 集成电路制造工艺概况

目标

9.1 引言

9.2 CMOS工艺流程

9.3 CMOS制作步骤

9.4 小结

第10章 氧化

目标

10.1 引言

10.2 氧化膜

10.3 热氧化生长

10.4 高温炉设备

10.5 卧式与立式炉

10.6 氧化工艺

10.7 质量测量

10.8 氧化检查及故障排除

10.9 小结

第11章 淀积

目标

11.1 引言

11.2 膜淀积

11.3 化学气相淀积

11.4 CVD淀积系统

11.5 介质及其性能

11.6 旋涂绝缘介质

11.7 外延

11.8 CVD质量测量

11.9 CVD检查及故障排除

11.10 小结

第12章 金属化

目标

12.1 引言

12.2 金属类型

12.3 金属淀积系统

12.4 金属化方案

12.5 金属化质量测量

12.6 金属化检查及故障排除

12.7 小结

第13章 光刻:气相成底膜到软烘

目标

13.1 引言

13.2 光刻工艺

13.3 光刻工艺的8个基本步骤

13.4 气相成底膜处理

13.5 旋转涂胶

13.6 软烘

13.7 光刻胶质量测量

13.8 光刻胶检查及故障排除

13.9 小结

第14章 光刻:对准和曝光

目标

14.1 引言

14.2 光学光刻

14.3 光刻设备

14.4 混合和匹配

14.5 对准和曝光质量测量

14.6 对准和曝光检查及故障排除

14.7 小结

第15章 光刻:光刻胶显影和先进的光刻技术

目标

15.1 引言

15.2 曝光后烘焙

15.3 显影

15.4 坚膜

15.5 显影检查

15.6 先进的光刻技术

15.7 显影质量测量

15.8 显影检查及故障排除

15.9 小结

第16章 刻蚀

目标

16.1 引言

16.2 刻蚀参数

16.3 干法刻蚀

16.4 等离子体刻蚀反应器

16.5 干法刻蚀的应用

16.6 湿法腐蚀

16.7 刻蚀技术的发展历程

16.8 去除光刻胶

16.9 刻蚀检查

16.10 刻蚀质量测量

16.11 干法刻蚀检查及故障排除

16.12 小结

第17章 离子注入

目标

17.1 引言

17.2 扩散

17.3 离子注入

17.4 离子注入机

17.5 离子注入在工艺集成中的发展趋势

17.6 离子注入质量测量

17.7 离子注入检查及故障排除

17.8 小结

第18章 化学机械平坦化

目标

18.1 引言

18.2 传统的平坦化技术

18.3 化学机械平坦化

18.4 CMP应用

18.5 CMP质量测量

18.6 CMP检查及故障排除

18.7 小结

第19章 硅片测试

目标

19.1 引言

19.2 硅片测试

19.3 测试质量测量

19.4 测试检查及故障排除

19.5 小结

第20章 装配与封装

目标

20.1 引言

20.2 传统装配

20.3 传统封装

20.4 先进的装配与封装

20.5 封装与装配质量测量

20.6 集成电路封装检查及故障排除

20.7 小结

附录A 化学品及安全性

附录B 净化间的沾污控制

附录C 单位

附录D 作为氧化层厚度函数的颜色

附录E 光刻胶化学的概要

附录F 刻蚀化学

半导体制造技术是2015年由电子工业出版社出版,作者MichaelQuirk。

得书感谢您对《半导体制造技术》关注和支持,如本书内容有不良信息或侵权等情形的,请联系本网站。

购买这本书

你可能喜欢
光传送网 OTN 技术、设备及工程应用 电子书
本书由江苏省邮电规划设计院多名专家和技术骨干联合编写,内容翔实,既注重OTN技术原理和发展趋势的介绍,又面向工程实际应用,对于从事光通信行业的从业者具有较高的参考价值。
5G无线网络及关键技术 电子书
1. 5G属前沿技术,本书内容领先业界,全面介绍5G相关技术。 2. 本书集合业界领先通信企业在5G方面的全新研究成果,内容深入、丰富。 3. 本书作者长期从事移动通信研究,此前出版过3本移动通信相关图书。
5G无线网络技术与规划设计 电子书
《5G无线网络技术与规划设计》由中国工程院院士通信领域的专家邬贺铨院士作序并推荐。 《5G无线网络技术与规划设计》书中有8章内容,各内容单独成章节,可以有的放矢;本书特点是每章节都有一张彩色的内容概览图,读者可以对5G的整体规划和设计更有层次感,架构感,对深入了解全书的内容更有把握。 《5G无线网络技术与规划设计》是一本以5G技术和通信协议为基础,从理论分析到规划设计建设实践的工具书。书中对5G无线网关键技术、空口物理层协议,基站覆盖、容量基本能力分析,基站设备的发展演进,无线网络规划、设计,室内覆盖系统方案都有详细的介绍。 《5G无线网络技术与规划设计》一书的作者均在项目一线从事无线网规划、咨询、设计多年,有非常丰富的工程项目经验,本书与市场中的同类书相比,更侧重于理论结合工程实践,从系统参数到原理实现,从通信设备到工程建造都有详细介绍,无论是参与过5G试验网,还是初次接触5G的人员均可受益,均可强化自己的通信系统知识,掌握基本的5G技术,收获颇丰。
国之重器出版工程 5G空口特性与关键技术 电子书
5G一线的通信专家力作; 内容基于3GPP R15标准; 对3GPP标准的制定过程有详细介绍。
国之重器出版工程 多接入边缘计算(MEC)及关键技术 电子书
本书结合未来5G网络演进趋势全面讨论了5G移动边缘计算(MEC)及相关关键技术,内容涵盖5G网络需求与架构、MEC应用场景及需求分析、MEC系统架构及部署组网策略、以及MEC系列关键技术,包括本地分流、缓存与加速、网络能力开放、移动性管理、固移融合、计算任务卸载等不同层面。本书可供具有一定移动通信技术基础的专业技术人员或管理人员阅读,也可作为通信院校相关专业师生的参考读物。